氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究
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STUDY ON N O SHALLOW THERMAL DONORS IN Cz Si GROWN IN N 2 ATMOSPHERE BY MEANS OF PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY
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    利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Si单晶中浅热施主的热退火行为.结果表明,氮气氛下生长的Si单晶,原生样品中就存在与N、O有关的浅热施主(STD).在450℃退火条件下,STD浓度最大;650℃退火后,部分STD消失;在900℃高温下作较长时间退火,由于氧的浓度降低,STD完全消失

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石晓红,刘普霖,张溪文,陈张海,史国良,沈学础.氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究[J].红外与毫米波学报,1996,15(4):275~278]. Shi Xiaohong ) Liu Pulin ) Zhang Xiwen ) Chen Zhanghai ) Shi Guoliang ) Shen Xuechu ). STUDY ON N O SHALLOW THERMAL DONORS IN Cz Si GROWN IN N 2 ATMOSPHERE BY MEANS OF PHOTOTHERMAL IONIZATION SPECTROSCOPY[J]. J. Infrared Millim. Waves,1996,15(4):275~278.]

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