InSbMIS结构的磁电容谱研究
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TN214.01

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国家自然科学资金,中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题基金


STUDIES OF MAGNETO CAPACITANCE SPECTROSCOPY OF InSb MIS STRUCTURE
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    摘要:

    测量了n型InSb金属-绝缘体-半导体器件的磁量子电容谱,发现p型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系,对这种依赖关系作出了定性的解释。

    Abstract:

    By measuring the magneto capacitance spectroscopy of an n type InSb metal insulator semiconductor (MIS) structure, the 2 dimensional hole subband in the p type channel of the InSb MIS device was investigated under different magnetic fields at 1 2K.It was shown that the on set energy of the p type channel has a strong dependence on the magnetic field. This behavior has been attributed mainly to the dependence of the InSb band gap energy on magnetic field.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

吴良津 刘坤. InSbMIS结构的磁电容谱研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(1):7~10]. Wu Liangjin ) Liu Kun ) Chu Junhao ). STUDIES OF MAGNETO CAPACITANCE SPECTROSCOPY OF InSb MIS STRUCTURE[J]. J. Infrared Millim. Waves,1997,16(1):7~10.]

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