1.中国科学院大学杭州高等研究院，浙江 杭州 310024;2.中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083;3.上海理工大学，上海 200093;4.上海理工大学 光电信息与计算机工程学院，上海 200093;5.中国科学院大学，北京 100049
TN312+.7
1.Hangzhou Institute for Advanced Study， University of Chinese Academy of Sciences， Hangzhou 310024， China;2.State Key Laboratory of Infrared Physics， Shanghai Institute of Technical Physics， Chinese Academy of Sciences， Shanghai 200083， China;3.University of Shanghai for Science and Technology， Shanghai 200093， China;4.School of Optical-Electrical and Computer Engineering， University of Shanghai for Science and Technology，Shanghai 200093， China;5.University of Chinese Academy of Sciences， Beijing 100049， China
Supported by the National Natural Science Foundation of China （NSFC） （62174166， 11991063， U2241219）， Shanghai Municipal Science and Technology Major Project （2019SHZDZX01， 22JC1402902）， and the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences（ XDB43010200）.
祁雨菲,王文娟,孙京华,武文,梁焰,曲会丹,周敏,陆卫.室温下高探测效率InGaAsP/InP单光子雪崩二极管[J].红外与毫米波学报,2024,43(1):1~6]. QI Yu-Fei, WANG Wen-Juan, SUN Jing-Hua, WU Wen, LIANG Yan, QU Hui-Dan, ZHOU Min, LU Wei. High detection efficiency InGaAsP/InP single-photon avalanche diode at room temperature[J]. J. Infrared Millim. Waves,2024,43(1):1~6.]
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