摘要:运用新的理论和Ｇｒｅｅｎ函数方法给出了蛋白质的稳定孤子的本征能量值，与实验值很好吻合。进一步考虑孤子的无规热调制现象给出了由该孤子引起的红外吸收系数和低温下红移线的吸收强度随温度的变化关系，也与实验结果一致。

摘要:用简化的Ｍｉｅ散射理及Ｋｒａｍｅｒｓ－Ｋｒｏｎｉｇ关系式，从单频透射比光谱反演微粒的复折射率，用较大粒径的碳黑微粒作了模拟计算，结果表明本方法计算比较简单，比现有方法提高了精度，扩大了波长及粒径范围。最后利用红外分光光度计测出的透射比光谱确定煤粒的复折射率。

摘要:分析给出了利用厚端非遮挡区的光谱透谱射率来计算给定区域光谱透射率的一般积分式，并对能通带展宽，峰值降低以及相邻区域的能通带重叠现象作进一步分析。

摘要:描述了用于特殊测试系统的高精度多路测试信号光纤传输系统的工作原理，设计，结构特点及现场联试结果，给出当系统获得高传输精度时所需确定采术速率的计算公式。

摘要:从实时应用的角度计论和改进了ＭＡＤＡＬＩＮＥ神经网络，给出了局部连接型ＭＡＤＡＬＩＮＥ不变网络的算法结构，将算法简化为一般的矩阵运算，提出了通过学习确定固定ＭＡＴ阈值和自适应ＭＡＪ阈值的方法，用硬件实现了处理二值输入模式的局部连接型ＭＡＤＡＬＩＮＥ网络，给出了ＭＡＤＡＬＩＮＥ网络原型与改进型的比较结果。

摘要:用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的ＧａＡＳ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结，发现不同工的ＧａＡｓ复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由ＧａＡｓ带间跃迁的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｅｙｓｈ效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大，并计算出表面费密以级与导带底的距离ｆ＝０．２７（０．０３）ｅＶ，通过对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ调制光谱分析，发现表面复盖层对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ层的调制光谱线形有调节作用，不同厚度的

摘要:采用红外透射测量观测了氢钝化对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶片的影响，用分层模型计算了晶片射率，分析了氢钝化增加其透射率，吸收边向短波方向移动，低于禁带宽度能量的吸收降低，透过范围减小的原因。表明氢钝化不仅影响到表面，而且影响到整个体内。原因是经氢钝化处理后杂质或缺陷受到有效钝化，载流子浓度降低，组分Ｘ增加；荷电杂质或缺陷的局域内场影响发失变化；以及荷电杂质或缺陷散射增强。

摘要:从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布，压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤，并讨论了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和Ｉｎ球熔焊的Ａｕ丝力损伤。

摘要:利用俄歇电子能谱，二次离子质谱，深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ－Ｖ法等测量方法，详细研究了Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｔ硅化物／Ｓｉ界面的反应性质，原子结构及杂质／缺陷的分布，讨论了它们对肖特基势垒的形成，势垒特发生和势垒高度的影响。

摘要:利用俄歇电子能谱，深能化瞬态谱，及Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ两种电学测量方法对ＰｔＳｉ－Ｎ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ两种肖特基势垒的形成条件与势垒度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素，同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。

摘要:研制了不同厚度的ＰＶＤＦ：ＴＧＳ复合膜，实验结果表明：膜越薄，其介电常数，介电常数，介电损耗和热释电系数越大，对实验结果做了定性解释。研制了复合薄膜探测器，其Ｄ＊（５００Ｋ，１２．５Ｈｚ）达１．５５×１０＾８ｃｍ．Ｈｚ１／２．Ｗ－１。

摘要:报道了聚合物DR/PMMA薄膜材料的红外光学特性及由薄膜材料形成法—珀腔结构的透射率随外加电压的变化规律,测定了折射率的色散n(λ)、三阶极化率χ~((3))(-ω;ω,0,0)和二次电光系数(kerr系数)R,在室温下测得波长为792.4 nm时χ~((3))=(2.0-i0.32)×10~(-11)esu,R=-(4.9-i7.9)×10~(-20)m~2/V~2。